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Static Random Access Memory#xff1a;速度快、存储一位需要元器件更多、功耗较大、集成度低、更贵
Dynamic Random Access Memory#xff1a;容量大、需刷新、附属电路更复杂、功耗较小、集成度高 存储位元
SRAM DRAM 逻辑结构
SRAM
典型的SRAM芯片有6116速度快、存储一位需要元器件更多、功耗较大、集成度低、更贵
Dynamic Random Access Memory容量大、需刷新、附属电路更复杂、功耗较小、集成度高 存储位元
SRAM DRAM 逻辑结构
SRAM
典型的SRAM芯片有61162K×8位、62648K×8位、6225632K×8位、628128128K×8位等 SRAM6264(8K×8) DRAM
NC(Not Connected):空脚。 芯片中NC引脚没有任何用途只是限于封装形式该引脚必须存在 典型DRAM2164 工作原理
SRAM DRAM 读出时仅靠电容保存的少量电荷是不足以判断IO和/IO之间的电流方向是区分不了0和1的
因此需要读出时预充 不读也不写的时候需要保持电容容量有限且电荷量会逐渐减少因此需要刷新刷新也需要预充。(其实就等同于一次不完整的读操作) 为了进一步提高存储密度就需要保留核心元件(电容)裁剪冗余电路于是就有了现在的单管DRAM
