电商网站 设计方案,thinkphp做网站后台,wordpress标签页插件,辛集seo网站优化价格MOS管的开关特性静态特性MOS管作为开关元件#xff0c;同样是工作在截止或导通两种状态。由于MOS管是电压控制元件#xff0c;所以主要由栅源电压uGS决定其工作状态。工作特性如下#xff1a;※uGS※ uGS开启电压UT:MOS管工作在导通区#xff0c;漏源电流iDSUDD/(RDrDS…MOS管的开关特性静态特性 MOS管作为开关元件同样是工作在截止或导通两种状态。由于MOS管是电压控制元件所以主要由栅源电压uGS决定其工作状态。工作特性如下 ※uGS ※ uGS开启电压UT:MOS管工作在导通区漏源电流iDSUDD/(RDrDS)。其中rDS为MOS管导通时的漏源电阻。输出电压UDSUDD·rDS/(RDrDS)如果rDS《RD,则uDS≈0V,MOS管处于“接通”状态其等效电路如上图(c)所示。动态特性 MOS管在导通与截止两种状态发生转换时同样存在过渡过程但其动态特性主要取决于与电路有关的杂散电容充、放电所需的时间而管子本身导通和截止时电荷积累和消散的时间是很小的。下图 (a)和(b)分别给出了一个NMOS管组成的电路及其动态特性示意图。NMOS管动态特性示意图 当输入电压ui由高变低MOS管由导通状态转换为截止状态时电源UDD通过RD向杂散电容CL充电充电时间常数τ1RDCL.所以输出电压uo要通过一定延时才由低电平变为高电平;当输入电压ui由低变高MOS管由截止状态转换为导通状态时杂散电容CL上的电荷通过rDS进行放电其放电时间常数τ2≈rDSCL.可见输出电压Uo也要经过一定延时才能转变成低电平。但因为rDS比RD小得多所以由截止到导通的转换时间比由导通到截止的转换时间要短。 由于MOS管导通时的漏源电阻rDS比晶体三极管的饱和电阻rCES要大得多漏极外接电阻RD也比晶体管集电极电阻RC大所以MOS管的充、放电时间较长使MOS管的开关速度比晶体三极管的开关速度低。不过在CMOS电路中由于充电电路和放电电路都是低阻电路因此其充、放电过程都比较快从而使CMOS电路有较高的开关速度。MOS管导通特性 导通的意思是作为开关相当于开关闭合。 NMOS的特性Vgs大于一定的值就会导通适合用于源极接地时的情况(低端驱动)只要栅极电压达到4V或10V就可以了。 PMOS的特性Vgs小于一定的值就会导通适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。但是虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动但由于导通电阻大价格贵替换种类少等原因在高端驱动中通常还是使用NMOS.MOS开关管损失 不管是NMOS还是PMOS,导通后都有导通电阻存在这样电流就会在这个电阻上消耗能量这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右几毫欧的也有。MOS在导通和截止的时候一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程流过的电流有一个上升的过程在这段时间内MOS管的损失是电压和电流的乘积叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多而且开关频率越快损失也越大。 导通瞬间电压和电流的乘积很大造成的损失也就很大。缩短开关时间可以减小每次导通时的损失;降低开关频率可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。
