百度 搜索到手机网站,网络销售怎样找客户,企业策划是什么意思,编辑网站的软件手机EEPROM与Flash的区别 EEPROMEEPROM内部功能框图实现写入数据内部结构存储管在充电或放电状态下有着不同的阈值电压 问题点EEPROM是如何失效的呢#xff1f;为何EEPROM不能做大呢#xff1f; ------------------------------------------------------------------------------… EEPROM与Flash的区别 EEPROMEEPROM内部功能框图实现写入数据内部结构存储管在充电或放电状态下有着不同的阈值电压 问题点EEPROM是如何失效的呢为何EEPROM不能做大呢 -----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------FlashFlash内部功能框图实现写入数据存储数据在擦除和编程状态下有着不同的阈值电压 问题点为何Flash存储容量能做到那么大的呢 -----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------Flash和EEPROM的异同总结 EEPROM
EEPROMElectrically Erasable Programmable Read-Only Memory电可擦除可编程只读存储器是一种非易失性存储器可以通过电子擦除和编程操作来存储和修改数据数据可以单独地、位于任何位置地进行读取、修改和写入。在电源关闭后保留其存储的数据。EEPROM的缺点是读写速度慢每次以单位字节进行擦除进行读写操作。因此EEPROM常用于存储小量的重要数据如配置信息和加密密钥。
实现EEPROM中存储单元的擦除和编程操作需要以下这些电路如下图所示
EEPROM内部功能框图 实现写入数据
EEPROM有一个自举电压高压泵可以抬升到特定电压将数据位擦除所以最常规的操作是先擦再写 擦除操作0→1 写操作1→0
内部结构
浮栅隧道氧化物结构的EEPROM 它与普通MOS管的区别就是增加了一个浮置栅极和一个超薄的隧道氧化层。我们就是利用F-N隧道效应的原理来实现数据擦写的
写入时给控制栅极加高于芯片工作的编程电压原极和漏极接地这时漏极的电子穿过隧道氧化层进入浮栅并保存完成数据写入。
相反控制栅极接地 漏极接编程电压源极悬空。这时形成了反向电场浮栅上的电子穿过隧道氧化层完成数据擦除。
存储管在充电或放电状态下有着不同的阈值电压 问题点
EEPROM是如何失效的呢 是因为擦除和写入过程中 电子被注入或抽出浮栅则写阈值和擦阈值的差值会越来越小当小到一定值的时候电路将无法识别存储管的状态。也就是说隧道氧化层经过多次操作电子会永久停留在隧道氧化层最终电子堆满在隧道氧化层从而存储的信息将会失效。所以隧道氧化层的质量决定了存储的使用寿命。
为何EEPROM不能做大呢
为防止存储单元擦写时对其它的单元产生影响每个存储管会配置一个选通管用于选择相应的存储单元 这种结构就降低了EEPROM的存储密度
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Flash
Flash是一种基于NOR门的存储技术也是一种非易失性存储器。Flash内部电路采用了一种叫做Floating Gate的结构这种结构可以存储电荷电荷的存在与否决定了存储单元的状态0或1。擦除时通过在闪存芯片的门控极上施加高电压将该存储单元的电荷清零即擦除了该存储单元存储的数据。这个过程被称为Flash擦除。Flash中的数据则以扇区为单位擦除和编程方法来修改这意味着它的擦除和编程速度比EEPROM快得多。Flash常用于存储大量的程序和数据。
实现Flash中存储单元的擦除和编程操作需要以下这些电路如下图所示
Flash内部功能框图 实现写入数据
Flash也有一个自举电压高压发生器可以调节到特定电压将数据位变更。当需要将一个Flash单元的位值从“1”改为“0”时需要通过向浮动栅注入电荷来实现当需要将其从“0”改为“1”时需要释放浮动栅内的电荷。下面解释内部结构如何实现“0”或“1”的跳变。
具体的存储原理就是当在栅极施加正向偏压时沟道层中的电子在电场的作用下从第一个栅极隧穿进浮栅存储起来第二个栅极阻挡了浮栅中的电子跑到栅极电极。
此时阈值电压增大器件切换到高阈值电压状态对应的逻辑为“0”。即使撤掉电压后隧穿层和阻挡层也可以保证浮栅中的电子不会丢失这个过程完成了电荷的存储及信息的编程写入过程。
那么怎么完成信息的擦除过程了只需要施加负向的栅压使得浮栅中的电子回到沟道中阈值电压减小回到低阈值状态对应的逻辑为“1”。 存储数据在擦除和编程状态下有着不同的阈值电压 向浮栅中注入和移除电子的过程对应的就是编程和擦除存储单元在编程和擦除状态下对应的阙值电压差值即为存储窗口
问题点
为何Flash存储容量能做到那么大的呢
对比EEPROM结构Flash内部少了每个单元的选通管此外Flash类似于表格形式连结如下图。并且Flash存储器使用了普通的晶体管。使得Flash存储器可以更轻松地集成到芯片中从而实现更大的存储容量。
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Flash和EEPROM的异同总结
(1)两者都是属于ROM并且都是电学原理进行存储 (2)FLASH比EEPROM的电路简单同样面积flash可以存储更多数据数据密度更高 (3)FLASH 只能一大片一大片的擦而EEPROM 可以按“位”擦写 (4)FLASH是按块或扇区进行访问EEPROM按字节进行访问 (5)EEPROM的可擦写次数比FLASH多 (6)EEPROM的单位容量价格比FLASH更高EEPROM一般容量都很小 (7)EEPROM一般都是用作存储程序运行时要掉电不丢失的数据FLASH一般是用来存储程序的
