免费自助建站网站建设免费信息发布,公司企业形象设计,wordpress手机仪表盘,docker创建wordpress非易失性存储器是一种即使未通电也能保持其内容的存储器。非易失性存储器可以有不同的形式: ROM – 只读存储器#xff0c;数据写入一次#xff0c;允许多次读取访问。 PROM – 可编程只读存储器#xff0c;数据写入一次#xff08;不是在制造过程中#xff0c;而是以后的…非易失性存储器是一种即使未通电也能保持其内容的存储器。非易失性存储器可以有不同的形式: ROM – 只读存储器数据写入一次允许多次读取访问。 PROM – 可编程只读存储器数据写入一次不是在制造过程中而是以后的任何时候允许多次读取访问。 EPROM – 可擦除的可编程只读存储器可以通过紫外线照射擦除内容后重新编程。 EEPROM – 电可擦除可编程只读存储器可通过电压脉冲擦除。它可以被重写有限的次数。它仅在有限的时间内存储数据。 Flash EEPROM – 比EEPROM更先进速度更快。允许以块的形式擦除和存储数据但不允许以字节为单位。
Flash目前非常流行主要有两种最流行的类型NOR Flash和NAND Flash。
用途
NOR 内存用于存储代码和执行。允许快速随机访问内存阵列中的任何位置。NAND存储器用于数据存储。需要相对较长的随机访问。编程和擦除比NAND存储器更容易。NAND内存的成本比NOR内存便宜。
内存架构 NOR 和 NAND 闪存将信息存储在由浮栅晶体管制成的存储单元中。 在 NOR 闪存中每个存储单元的一端连接到源线另一端直接连接到类似于 NOR 门的位线。 在NAND闪存中多个存储单元串联连接类似于NAND门。 NOR闪存提供足够的地址线来映射所有存储器范围。它提供快速随机访问和较短的读取时间。缺点包括较大的单元尺寸导致更高的bit成本以及较慢的写入和擦除速度一旦NOR存储单元足够大就会使其变得昂贵。 NAND存储单元体积更小成本更低具有更高的编程与擦除速度。但是它的读取速度较低不允许随机访问。代码执行是不同的NAND内存比NOR内存更复杂NAND闪存的代码执行是通过将内容隐藏到RAM来实现的这与直接从NOR闪存执行代码不同。 NOR整个生命周期表现好 不会发生比特翻转。 NAND另一个主要缺点是存在坏块NAND闪存在器件的整个生命周期内会发生比特翻转因此需要在提供纠错码ECC功能。
内存容量
NAND存储器的密度远高于NOR闪存的密度这主要是因为其每比特成本较低。由于其较高的密度NAND闪存主要用于数据存储应用。
擦除、读取和写入 在 NOR 和 NAND闪存中存储器被组织成擦除块。此体系结构有助于在保持性能的同时保持较低的成本。例如较小的块大小可实现更快的擦除周期。无论块有多小需要的块数量越大闪存的芯片尺寸就越大。 由于其每比特成本较低与 NOR 闪存相比NAND 闪存可以更经济高效地支持更小的擦除块。 NAND 闪存中的擦除操作很简单而在 NOR 闪存中每个字节都需要用“0”写入才能擦除。这使得 NOR 闪存的擦除操作比 NAND 闪存慢得多。 在NAND闪存中使用多路复用地址和数据总线访问内存。典型的 NAND 闪存使用 8 位或 16 位多路复用地址/数据总线并带有附加信号例如芯片使能、写入使能、读取使能、地址锁存使能、命令锁存使能和就绪/忙。NAND闪存需要提供命令读取、写入或擦除然后是地址和数据。这些额外的操作使NAND闪存的随机读取速度大大变慢。例如某NAND 闪存需要 30μS而某NOR 闪存需要 120nsNAND 的速度慢了 250 倍。 为了克服或减少读取速度较慢的限制内存通常以 NAND 闪存中的page形式读取每页都是擦除block的较小细分。仅在每个读取周期开始时才使用地址和命令周期按顺序读取一页的内容。 NAND 闪存的顺序访问持续时间通常低于 NOR 闪存设备中的随机访问持续时间。在NOR闪存的随机存取架构下每个读取周期都需要切换地址线从而累积顺序读取的随机存取。随着要读取的数据块大小的增加NOR 闪存中的累积延迟变得大于 NAND 闪存。因此NAND闪存的顺序读取速度更快。但是由于 NAND 闪存的初始读取访问持续时间要长得多因此只有在传输大型数据块时性能差异才会显现出来。 NAND 和 NOR 闪存在重新编程之前都应擦除闪存设备。在这两种闪存技术中只有当块为空时才能将数据写入块。NOR Flash 的擦除操作已经很慢这使得写入操作更加缓慢。在NAND闪存中与读取类似数据通常以page为单位写入或编程。
功耗
在初始上电期间NOR 闪存通常比 NAND 闪存需要更多的电流。但是NOR 闪存的待机电流远低于 NAND闪存。两种闪存的瞬时有功功率相当。因此有功功率由内存处于活动状态的持续时间决定。NOR 闪存在随机读取方面具有优势而 NAND闪存在擦除、写入和顺序读取操作方面的功耗相对较低。
可靠性
闪存存在一种称为比特翻转bit-flipping的现象其中某些位可能会被反转。这种现象在NAND闪存中比在NOR闪存中更常见。出于良率考虑NAND闪存在出厂时随机散布着随机的坏块。随着擦除和编程周期在NAND闪存的整个生命周期中继续进行更多的存储单元会损坏。因此坏块处理是NAND闪存的强制性功能。另一方面NOR 闪存附带零坏块在内存的生命周期内坏块累积非常低。因此在存储数据的可靠性方面NOR 闪存比 NAND 闪存更具优势。
数据保留
可靠性的另一个方面是数据保留NOR Flash具有优势。但是编程和擦除周期的数量也是同时需要考虑的重要特征。
