网站+做内容分发资格,做网站可行性分析,浦东新区网站推广公司,如何制作一个购物网站DRAM、SRAM和Flash都属于存储器#xff0c;DRAM通常被称为内存#xff0c;也有些朋友会把手机中的Flash闪存误会成内存。SRAM的存在感相对较弱#xff0c;但他却是CPU性能发挥的关键。DRAM、SRAM和Flash有何区别#xff0c;它们是怎样工作的#xff1f;
DRAM#xff1a;…DRAM、SRAM和Flash都属于存储器DRAM通常被称为内存也有些朋友会把手机中的Flash闪存误会成内存。SRAM的存在感相对较弱但他却是CPU性能发挥的关键。DRAM、SRAM和Flash有何区别它们是怎样工作的
DRAM动态随机存取存储器
DRAM的全称是Dynamic Random Access Memory动态随机存取存储器。“随机存取”意味着CPU可以存取其中的的任意位置而不像硬盘那样每次存取要以扇区为单位进行。 而“动态”是因为DRAM的工作采用电容原理为了防止漏电引发数据错误需要定时重复刷新。当电源中断后DRAM中的数据就会全部丢失所以它属于“易失型”存储器。
SRAM静态随机存取存储器
SRAM的存在感比较弱因为多数时候它并不是像DRAM那样以内存条的形式直接展现在大家面前。CPU中集成的高速缓存就属于SRAMStatic Random-Access Memory静态随机存取存储器。在一些无DRAM缓存设计的固态硬盘如东芝TR200中主控内会集成小容量的SRAM缓存。
SRAM存储单元是由6个晶体管制成的简单锁存器无需刷新和回写就能保留数据速度比DRAM更快。但由于集成度低SRAM容量比DRAM小成本比DRAM高所以在大多数地方只能以较小的容量作为高速缓存使用。断电后SRAM中的数据也会丢失同样属于“易失性”存储器。 PSRAM伪静态随机存储器。
具有类SRAM的接口协议给出地址、读、写命令就可以实现存取不像DRAM需要memory controller来控制内存单元定期数据刷新因此结口简单但它的内核是DRAM架构1T1C一个晶体管一个电容构成存储cell而传统SRAM需要6T即六个晶体管构成一个存储cell。由此结合他可以实现类SRAM的接口又可实现较大的存储容量。
早期的PSRAM制造商包括Samsung、Micron等巨头广泛用于最早期的智能手机。那时候的手机内存有192MB、384MB等现在看起来非常小的容量。但很快就进入到LPDDR1、LPDDR2、LPDDR3到如今的LPDDR4.
然而PSRAM如今仍然在大规模的使用只是一般人不知道、看不见而已在M、S、R三大2G base band芯片供应商里都集成有32MB的PSRAM只不过他们都是以SiP的形式出现封在芯片里面你看不见。
物联网时代赋予了PSRAM新的活力尤其在语音交互领域PSRAM以其小封装、大容量、低成本开始显露器独特优势。在一些智能语音交互的场合有些语音数据来自云端PSRAM能很好的提供数据缓冲作用解决网络数据的不稳定问题以提供稳定、平滑的语音服务。例如儿童对着一个玩具娃说“我要听葫芦娃的故事”玩具娃识别请求后会在云端找到相关故事以流媒体传送的方式播放该故事。由于有PSRAM做data buffer即使在不是很稳定的环境里故事也会非常流畅的播放。同样在一些网络收音机中使用PSRAM能够是声音播放非常平滑提供优越的用户体验
SPI PSRAM: 8-pin SOP封装最高速率可以达到104MHz, 具有片选CS、CLK、SI、SO 4个信号脚。 QPI PSRAM: 8-pin SOP封装最高速率104MHz, 有额外的3个双向数据管脚由此带宽峰值可以达到416Mbps。 OPI PSRAM: 24 脚封装有8个串行数据线最高时钟频率达到133MHz最高带宽可以达到133x8 x22.128Gbps。这里x2是因为它可以实现DDR以提高数据带宽。 PSRAM在一些数据缓冲应用中可以取代SRAM或者SDRAM: 高速、大容量PSRAM非常贵而SDRAM需要很多管脚、需要设计DRAM控制器、实现数据刷新等再尺寸、设计复杂度等上不经济。在传统的MCU中都有SPI接口因此使用PSRAM没有问题。对应QPI/OPI设计上需要一些配合。
PSRAM容量有4Mb,8Mb,16Mb,32Mb64Mb, 128Mb等等容量没有SDRAM那样密度高但肯定是比SRAM的容量要高很多的速度支持突发模式并不是很慢APmemoryHynixFidelix,Coremagic, WINBOND .MICRON. CY 等厂家都有供应价格只比相同容量的SDRAM稍贵一点点比SRAM便宜很多。
Flash闪存存储器
铠侠原东芝存储在上世纪80年代发明NAND型闪存。闪存可以在断电后持续保存数据但是它无法随机存取最小读写单元是Page页早期为4KB当前多为16KB最小擦除单位是Block块当前为16MB左右。
闪存使用特殊的“浮栅层”Floating Gate来存储数据氧化物层Oxide Layer的存在可防止浮栅层中电子流失这是它能够在断电后继续保存数据的原因。 Flash闪存的1个存储单元存储多位数据这是DRAM和SRAM都做不到的。根据浮栅层中电子的多少每个存储单元可以表达1比特SLC、2比特MLC、3比特TLC或4比特QLC数据。 闪存的写入和擦除基于量子隧道效应每个单元可以存储的数据越多对跃迁到浮栅层的电子数量控制越严苛写入速度也越慢所以TLC的闪存性能优于QLC。
当前的3D闪存在结构上跟传统闪存又有所不同。3D闪存的单元排列从水平变更为立体的同时闪存单元的结构也变为类似于圆柱形Floating Gate浮栅也被Charge Trap电荷捕获结构代替。
新一代固态硬盘上已经用上96层堆叠技术的3D闪存而下一代100层堆叠的闪存也已完成研发并将很快进入量产阶段在容量、性能和成本上取得新的进步。
总结DRAM是内存动态刷新断电丢数据SRAMPSRAM是高速缓存无需刷新断电丢数据Flash无需刷新断电不丢数据通常作为硬盘。从容量上看SRAMPSRAMDRAMFlash从性能上看则正好反过来。DRAM,SRAM, PSRAM断电后数据会丢失写入Flash闪存的数据则可以在断电后持续保留。
