微网站服务器,酒店手机网站首页设计,如何在vps上搭建网站,网站专题页面怎么做如果你最近想买手机#xff0c;没准儿你一看价格会被吓到手机什么时候偷偷涨价啦#xff01; 其实对于手机涨价#xff0c;手机制造商也是有苦难言#xff0c;其中一个显著的原因是存储器芯片价格的上涨↗↗↗ 存储器memory的江湖地位 存储器memory#xff0…如果你最近想买手机没准儿你一看价格会被吓到手机什么时候偷偷涨价啦 其实对于手机涨价手机制造商也是有苦难言其中一个显著的原因是存储器芯片价格的上涨↗↗↗ 存储器memory的江湖地位 存储器memory是电子设备的基础核心部件之一全球memory市场规模约700亿美元在全球3352亿美元的集成电路产业中占据23%的份额。 随着今年存储器价格的飙涨各大memory厂商赚得盆满钵满甚至把memory称为印钞机也丝毫不为过。与此同时存储器在真金白银的交换中也充分证明了自己在电子信息产业江湖中的地位。 存储器的分类 存储介质的形式有很多种从穿孔纸卡、磁鼓、磁芯、磁带、磁盘到半导体DRAM内存以及SD卡固态硬盘、SSD、闪存等各种存储介质。 存储器大致可以分为掉电易失性Volatile Memory和非掉电易失性Non-volatile memory。 目前全球存储器市场最大的集中在 DRAM、NAND Flash、NORFlash三大类 这三类存储器主要用在哪里呢 以手机举例—— DRAM 4GB就是内存部分DRAM用来存放当前正在执行的数据和程序, 例如屏幕前的你正在刷的微信 NAND FLASH 64GB就是闪存部分NAND FLASH用来存放长期信息例如各位宝宝的美颜美照你的聊天记录还有其他……当然了也正是因为我们存的东西越来越多二维空间已经无法存放这么多的信息生生逼着NAND走向了三维空间也就是3D NAND。 ▲ 3D NAND的构造就像一个摩天大楼 此外一些新型的存储器也在研究的过程中例如磁阻式RAM (MRAM--ST-MRAM、STT-MRAM)、电阻式RAMReRAMPRAM、FeRAM等。 了解了Memory的庞大家族和主要成员之后我们回到老本行来研究一下memory的测试方法。 按照Memory的设计制造working flow及其辅助电路测试环节大致分为以下几个部分 Cell level --design andmodeling 单元设计、评估及建模 Wafer level –acceptance test代工厂晶圆级自动化测试 Chip level --Protocolvalidation 芯片级协议分析 Controller IC – Interfacemeasurement控制芯片接口测试 Module level 以SSD为例 接下来我们分上、下两篇分别讲解 这5个部分的详细测试方法和测试方案 { 第一部分 } Typical Cell evaluation of NVM – flash memory 三大问题一个对策你值得拥有 当前主流的NVM由于读写速度快测试序列复杂因此在测试时需要 High pulse quality 高质量的脉冲 Complex waveform generation复杂的信号生成 Higher throughput 高吞吐率 典型的memory cell测试主要分为3部分 1、Write / Erase pulse width dependency 2、Endurance test 3、Disturb test 1 Write / Erase pulse width dependency 流程如下 问题 1-a) 脉冲波形失真 根据以上测试流程首先我们的工程师编写程序写进一个理想脉冲。 然而由于传输线的多重反射及电感效应实际测试脉冲已经引入了失真 问题 1-b) 复杂的时序图生成 时钟的同步、延时、脉宽、上升下降沿都是要考虑的因素 2 Endurance Test的流程如下 问题2-a) 超长疲劳测试时间 Issue 2-b) 还是波形产生的问题在疲劳测试中需要为memory cell注入多电压信号脉冲以测试memory的性能 3 Disturb test Issue 3-a) 测试设备的灵活性例如在两个cell上同时加压一个为工作单元, 一个为干扰单元 Issue 3-b) 要求比较高的电压加速degradation (e.g. 40Vfor NAND) 总结以上部分可得在存储器单元主要三种功能测试中主要的测试挑战如下 面对如此错综复杂的考量正确的方法是使用Keysight HV-SPGU module in B1500AHighVoltage Semiconductor Pulse Generator Unit这是基于Keysight半导体参数分析仪也就是TracerB1500A的高压脉冲产生单元它可以产生± 40V的电压脉冲用于memory cell 的disturb test。 从正面面板可以看到这一个可配置于B1500A的模块每个模块有两个channel也就是说对于5插槽的B1500A最高可以配置10个channel。 除了高压、通道数之外我们接下来来了解一下它在复杂波形生成、超高脉冲精度、以及测试软件等方面的能力看它是如何在方方面面满足memory cell测试的全部要求。 看精度 如此好的精度带来的直接好处就是脉冲建立时overshoot和振铃都非常小来看几种电压和建立时间的组合 ▲ Ttransient20nsVamp10V ▲ Ttransient20nsVamp20V ▲ Ttransient30nsVamp40V 看测试场景 33种测试场景贴心内置 看速度 Estimated test time for one millioncycle endurance test 20倍加速再也不用等待那么长的时间。 { 第二部分 } On-wafer massiveparametric test for memory 第一部分居然罗里吧嗦讲了这么长弄得小编开始怀疑自己的年龄。为了证明小编还年轻决定一言不发甩2张图直截了当简单粗暴快刀斩乱麻结束这一部分 转载于:https://www.cnblogs.com/shaobojiao/p/7885531.html
