苏州本地网站,ppt链接网页怎么制作,工地用的木模板是什么板,wordpress怎么修改菜单栏关键词三星电子有限公司成功研发出业界首款12层堆叠HBM3E DRAM——HBM3E 12H#xff0c;这是迄今为止容量最大的HBM产品。这款新型HBM3E 12H内存模块提供了高达1,280GB/s的史上最高带宽#xff0c;并拥有36GB的存储容量#xff0c;相较于之前的8层堆叠HBM3 8H#xff0c;在带宽和…三星电子有限公司成功研发出业界首款12层堆叠HBM3E DRAM——HBM3E 12H这是迄今为止容量最大的HBM产品。这款新型HBM3E 12H内存模块提供了高达1,280GB/s的史上最高带宽并拥有36GB的存储容量相较于之前的8层堆叠HBM3 8H在带宽和容量两方面均提升了超过50%。 三星内存产品规划执行副总裁Yongcheol Bae表示“随着行业内AI服务提供商对更高容量HBM的需求日益增长我们新推出的HBM3E 12H产品正是针对这一需求设计的。这款新的内存解决方案是我们致力于开发高堆叠HBM核心技术以及在AI时代引领高容量HBM市场技术发展的一部分。”
HBM3E 12H采用了先进的热压缩非导电薄膜TC NCF技术使得12层产品的高度规格与8层产品相同满足当前HBM封装要求。随着行业努力减轻芯片薄化带来的晶片翘曲问题这项技术在更高的堆叠层数中预计会带来额外优势。制造商不断减小其NCF材料的厚度实现了业界最小的7微米芯片间隙并消除了层间空洞。这些努力使得HBM3E 12H相比HBM3 8H产品垂直密度提高了超过20%。
此外三星先进的TC NCF技术还通过允许芯片间采用不同尺寸的凸点改善了HBM的热性能。在芯片键合过程中信号传输区域使用较小的凸点而在需要散热的地方放置较大的凸点。这种方法不仅有助于提高产品的整体产出率也有利于更好的散热管理。
随着AI应用呈指数级增长HBM3E 12H被期待成为未来需要更大内存系统的理想解决方案。凭借其更高的性能和容量客户能够更加灵活地管理资源降低数据中心的总体拥有成本TCO。在AI应用场景中相比于采用HBM3 8H使用HBM3E 12H有望使AI训练速度平均提升34%同时推理服务的同时用户数量可增加超过11.5倍。
目前三星已经开始向客户提供HBM3E 12H样品并计划于2024年上半年实现大规模生产。
