增加收录网站,龙岗公司的网站制作,国内网站开发不用wordpress,漳州 网站设计ASM GaN Model 本征器件及其寄生参数#xff0c;用于构建完整的射频模型#xff1a; 在获取直流参数后#xff0c;可以利用该模型模拟S参数。为此#xff0c;需要考虑寄生组件#xff0c;并围绕模型构建一个子电路来表示所有寄生电容和电感。实际布局相关的寄生元件以及测…ASM GaN Model 本征器件及其寄生参数用于构建完整的射频模型 在获取直流参数后可以利用该模型模拟S参数。为此需要考虑寄生组件并围绕模型构建一个子电路来表示所有寄生电容和电感。实际布局相关的寄生元件以及测量参考平面的位置需与内在ASM氮化镓模型相结合。完整的模型如图所示包含三个层次第一层是本征ASM氮化镓模型第二层是由Zexxg, d, 或 s表示的电极线的电感、电阻和电容模型第三层则是源通孔、栅极和漏极汇流条的寄生元件。第三层的寄生效应可以通过集总元件网络建模也可以直接使用电磁仿真得到的S2P文件对该区域进行建模。第二层的寄生元件可以从文献中的标准提取流程中提取。
通过使用正确的寄生网络可以从测量数据和Y参数的虚部中观察到栅源、栅漏和漏源电容。参数CGSO、ADOSI、BDOSI和VDSATCV可用于调节不同Vds下的Cgs随Vgs变化的行为。CGSO应调整以设定截止电压以下Vgs偏置时的Cgs值。ADOSI和BDOSI可用来调节Cgs随Vgs增加的速度。
接下来针对Cgd随Vds特性的调整可以使用CGDL参数控制Cgd随着Vds增加而减小的情况。对于拟合Cds参数可以使用CDSO、CJ0、AJ和DJ。在高频下观察到的栅极电阻效应可以通过栅极电阻参数RSHG和XGW进行建模。
小信号gm和gds在不同偏置条件下的表现直接来源于已建模的I-V特性在低频情况下能较准确地接近实测数据。在更高频率下由于自热导致的gm和gds的频率依赖性可以通过CTH0参数进行调整。
在多个直流偏置点完成S参数建模之后可以进一步实现大信号射频输入功率扫描曲线和负载/源拉伸测量的建模。对于大信号性能建模来说I-V特性中至关重要的“膝部”区域也是需要重点考虑的部分。这个区域主要受通道接入区电阻参数及平滑参数DELTA、MEXPACCS和MEXPACCD的影响和控制。
