网站维护包括,龙港 网站建设,网站上做相关链接,网站建设源代码全球知名半导体制造商ROHM#xff08;总部位于日本京都市#xff09;面向数据服务器等工业设备和AC适配器等消费电子设备的一次侧电源*1#xff0c;开发出集650V GaN HEMT*2和栅极驱动用驱动器等于一体的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”#xff08;BM3G015MUV-LB、BM3G007…全球知名半导体制造商ROHM总部位于日本京都市面向数据服务器等工业设备和AC适配器等消费电子设备的一次侧电源*1开发出集650V GaN HEMT*2和栅极驱动用驱动器等于一体的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB。 近年来为了实现可持续发展的社会对消费电子和工业设备的电源提出了更高的节能要求。针对这种需求GaN HEMT作为一种非常有助于提高功率转换效率和实现器件小型化的器件被寄予厚望。然而与Si MOSFET相比GaN HEMT的栅极处理很难必须与驱动栅极用的驱动器结合使用。在这种市场背景下ROHM结合所擅长的功率和模拟两种核心技术优势开发出集功率半导体——GaN HEMT和模拟半导体——栅极驱动器于一体的Power Stage IC。该产品的问世使得被称为“下一代功率半导体”的GaN器件轻轻松松即可实现安装。 新产品中集成了新一代功率器件650V GaN HEMT、能够更大程度地激发出GaN HEMT性能的专用栅极驱动器、新增功能以及外围元器件。另外新产品支持更宽的驱动电压范围2.5V30V拥有支持一次侧电源各种控制器IC的性能因此可以替换现有的Si MOSFETSuper Junction MOSFET*3以下简称“Si MOSFET”。与Si MOSFET相比器件体积可减少约99%功率损耗可降低约55%因此可同时实现更低损耗和更小体积。 新产品已于2023年6月开始量产样品价格4,000日元/个不含税。另外新产品及对应的三款评估板BM3G007MUV-EVK-002、BM3G007MUV-EVK-003、BM3G015MUV-EVK-003已开始网售在Ameya360等电商平台可购买。
