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FLASH是一种存储芯片#xff0c;全名叫Flash EEPROM Memory#xff0c;通地过程序可以修改数据#xff0c;即平时所说的“闪存”。Flash又分为NAND f… 这篇文章讲解nand flash和nor flash的特点和区别不涉及存储原理的讲解 一Flash简介
FLASH是一种存储芯片全名叫Flash EEPROM Memory通地过程序可以修改数据即平时所说的“闪存”。Flash又分为NAND flash和NOR flash二种。
二Nor Flash的特点
Nor Flash的数据线和地址线是分开的并允许随机存取存储器上的任何区域这使的它非常适合取代老式的ROM芯片。当时ROM芯片主要用来存储几乎不需更新的代码例如电脑的BIOS或机上盒(Set-top Box)的固件。NOR Flash可以忍受一万到一百万次抹写循环它同时也是早期的可移除式快闪存储媒体的基础。
NOR的特点是芯片内执行( eXecute In Place),这样应用程序可以直接在flash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中。NOR在开发板中应用的非常广泛通过JTAG/JLINK把boot烧到NOR中通电后自动运行。
三Nand Flash的特点
Nand Flash的数据线和地址线是公用的NAND Flash 的I/O接口并没有随机存取外部地址总线它必须以区块性的方式进行读取NAND Flash典型的区块大小是数百至数千比特。NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据,各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息NAND读和写操作采用512字节的块,这一点有点像硬盘管理此类操作,很自然地,基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。
NAND Flash具有较快的抹写时间, 而且每个存储单元的面积也较小这让NAND Flash相较于NOR Flash具有较高的存储密度与较低的每比特成本。同时它的可抹除次数也高出NOR Flash十倍。
NAND Flash非常适合用于储存卡之类的大量存储设备。第一款创建在NAND Flash基础上的可移除式存储媒体是SmartMedia此后许多存储媒体也跟着采用NAND Flash包括MultiMediaCard、Secure Digital、Memory Stick与xD卡。
四两者之间的区别
1NAND的写入速度比NOR快很多所以NAND适合用于存储数据
2NOR的读速度比NAND稍快一些。
3NAND的4ms擦除速度、编程速度远比NOR的5s快。
4NAND的擦除单元更小,相应的擦除电路更少。
5在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次,而NOR的擦写次数是十万次。
6NAND器件中的坏块是随机分布的对介质进行初始化扫描发现坏块,并将坏块标记为不可用。在烧写内核到NAND的时候经常有发现坏块提示。
7由于Flash固有的电器特性在读写数据过程中偶然会产生1位或几位数据错误即位反转NAND Flash发生位反转的几率要远大于NOR Flash。位反转无法避免因此使用NAND Flash的同时应采用错误探测/错误更正EDC/ECC算法。
8NANDFlash与NOR Flash相比容量大。
9NOR价格高呵呵这才是最重要的。
10) 在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持在NAND器件上进行同样操作时通常需要驱动程序也就是内存 技术驱动程序(MTD)NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。 本文章仅供学习交流用禁止用作商业用途转载请标明出处
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