陕西省建设监理工程协会网站,在哪里有人做网站,多备份 wordpress,wordpress默认后台地址RAMRandom-Access-Memory,随机存储存储器#xff0c;可读可写#xff0c;分为SRAM和DRAM#xff0c;即静态随机存储器和动态随机存储器#xff0c;理解上静动态主要体现是否需要刷新#xff0c;通常DRAM需要刷新#xff0c;否则数据将丢失;SRAM的效率较好#xff0c;而成…RAMRandom-Access-Memory,随机存储存储器可读可写分为SRAM和DRAM即静态随机存储器和动态随机存储器理解上静动态主要体现是否需要刷新通常DRAM需要刷新否则数据将丢失;SRAM的效率较好而成本较高通常将SRAM作为cache使用。PSRAMPseudo static random access memory伪SRAM伪随机存储器内部和DRAM相似接口和SRAM相似具有自刷新功能不需要外部刷新。而其成本介于SRAM与DRAM之间。单双端口RAM单端口RAM同一时刻只能满足读或写某一动作而双端口RAM存在两套独立的地址、数据、读写控制等可以同时进行两个操作当然为避免冲突存在一定的仲裁控制成本也更高。伪双口RAM是只有两访问接口单一个端口只读另一个端口只能写。ROMRead-Only-Memory,只读存储器通常使用时一次写好使用时只能进行读操作而不能进行写操作。CACHE高速缓冲存储器由于存储器DDR/DRAM等相对于处理器访问速度较慢增加的一级缓冲存储空间当需要处理器需要访问内存某一块区域时先缓存cache中处理器访问cache速度较快;但同时也需要增加处理DDR和CACHE中数据同步、替换等问题。TCMTightly-Coupled-Memory 紧密耦合(链接)的存储器是指和处理器链接紧密,基本可以看做和CACHE同一等级连接的存储空间(印象中ARM结构上和L2 CACHE同一层次)其存储空间的内容不会像CACHE处理一样经常替换。EEPROMElectrically Erasable Programmable read only memory电可擦可编程只读存储器掉电非易失的存储芯片在特殊高电压模式下可以插写普通模式下只读ROM。FLASH闪存和EEPROM一样可擦除可重写差别EEPROM总是按字节操作FLASH可以按照字节块擦除。FLASH有分Nand-Flash、Nor-FlashNor-flash可以按照字节读取而NandFlash只能按块读取两者同样可以按照字节块擦除。Nor-Flash需要支持随机读取的地址、数据线成本比Nand-Flash高而其可擦写次数低于NAND FLASH,一般嵌入系统中刚boot需要初始化的代码需要放置在Nor-Flash中。对于FLASH的读取总线可以有I2C、SPI串行型也可以采用并行Parallel;同样Flash可以和处理器集成在一起或是通过总线外部访问。eMMCembedded multi media card集成了NAND FLASH和控制部分的集成电路提供像SD、TF(trans-flash)卡一样的使用接口。硬盘传统硬盘采用磁材料作为存储介质固态硬盘使用FLASH访问速度性能较好。
